फ्लैश मेमोरी चिप्स

हम अपने ग्राहकों को फ्लैश मेमोरी चिप्स की एक विस्तृत श्रृंखला की पेशकश कर रहे हैं, जो निम्नलिखित विनिर्देशों के अनुसार उपलब्ध हैं: - एसी वोल्टेज की आपूर्ति: 2.7 ~ 3.6 वी a c. संगठन - मेमोरी सेल ऐरे - (16 एम+512 के) बिट x 8 बिट - डेटा रजिस्टर - (512 + 16) बिट x 8 बिट एक सी स्वचालित प्रोग्राम और इरेज़ - पेज प्रोग्राम - (512 + 16) बाइट - ब्लॉक इरेज़: - (16K+ 512) बाइट एक सी पेज रीड ऑपरेशन - पेज का आकार - (512 + 16) बाइट - रैंडम एक्सेस: 10µs (अधिकतम) - सीरियल पेज एक्सेस: 50ns (न्यूनतम) ए सी फास्ट राइट साइकल टाइम - कार्यक्रम का समय: 200Aus (टाइप।) - ब्लॉक इरेज़ टाइम: 2ms (टाइप।) a c कमांड/एड्रेस/डेटा मल्टीप्लेक्स्ड I/O पोर्ट a c हार्डवेयर डेटा सुरक्षा - पावर ट्रांज़िशन के दौरान प्रोग्राम/इरेज़ लॉकआउट एसी विश्वसनीय CMOS फ्लोटिंग-गेट टेक्नोलॉजी - सहनशक्ति: 100K प्रोग्राम/इरेज़ साइकल - डेटा रिटेंशन: 10 वर्ष ए सी कमांड रजिस्टर ऑपरेशन कॉपीराइट सुरक्षा के लिए एक सी यूनिक आईडी एसी पैकेज - K9F2808U0C-YCB0/YIB0 48 - पिन टीएसओपी I (12 x 20/0.5 मिमी पिच) - के9एफ2808यू0सी-पीसीबी0/पीआईबी0 48 - पिन टीएसओपी I (12 x 20/0.5 मिमी पिच) - पीबी-फ्री पैकेज - K9F2808U0C-VCB0/VIB0 48 - पिन डब्ल्यूएसओपी आई (12X17X0.7 मिमी) - K9F2808U0C-FCB0/FIB0 48 - पिन डब्ल्यूएसओपी आई (12x17X0.7 मिमी) - पीबी-फ्री पैकेज * K9F2808U0C-V/F (WSOPI) वही डिवाइस है जो पैकेज प्रकार को छोड़कर K9F2808U0C-Y/P (TSOP1)।