सिलिकॉन कार्बाइड (Sic) वेफर

हम निम्नलिखित विवरणों के साथ बीजिंग, बीजिंग, चीन में सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) वेफर के अग्रणी निर्माता हैं विवरण: एक व्यापक ऊर्जा बैंडगैप, उच्च तापीय चालकता, उच्च संतृप्त इलेक्ट्रॉन बहाव वेग, और उच्च ब्रेक-डाउन इलेक्ट्रिक क्षेत्र सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) को उच्च तापमान, उच्च गति, उच्च आवृत्ति और उच्च-शक्ति अनुप्रयोगों के लिए पसंद का उम्मीदवार बनाते हैं। स्पेसराफ्ट, स्पेस प्रोब, ऑयल एक्सप्लोरेशन, ऑप्टिकल स्टोरेज, डिस्प्ले और पावर मैनेजमेंट और डिस्ट्रीब्यूशन के लिए SiC आधारित उपकरणों की अत्यधिक उम्मीद है मुख्य पैरामीटर्स: व्यास: 2a a 3a a 4a a a a a पॉलीटाइप: 4H प्रतिरोधकता (आईसीए सीसीएम) एन-टाइप 0.015i 0.028 एसआई ए वाई 1 ए 105 सपाटता (आई एम) टीटीवी ए 10 ए 15 ए 15 बो ए 25 ए 35 ए 45 वार्प ए 25 ए 35 ए 45 ग्राहक की आवश्यकताओं के अनुसार मोटाई (I m) (350-380) A 25 वेफर ओरिएंटेशन ऑन-एक्सिस: (00001) ए 0.5 ए <1120>ऑफ-एक्सिस: 4A /2A से A 0.5A प्राथमिक फ्लैट <1120>A 0.5A सेकेंडरी फ्लैट एसआई-फेस: 90 ए सीडब्ल्यू। ओरिएंटेशन फ्लैट 5 ए से प्राथमिक फ्लैट की लंबाई (मिमी) 16A 1.65 22A 3.17 32.5A 2.00 द्वितीयक सपाट लंबाई (मिमी) 8A 1.65 11A 1.52 18A 2 खुरदरापन (मिमी) 0.3 (10 एयूएम 10 एयूएम, एएफएम) माइक्रोपाइप डेंसिटी (cm-2) प्रोडक्शन ग्रेड रिसर्च ग्रेड डमी ग्रेड ए 10 ए 10 ए 10 अनुप्रयोग: ठोस का ल्यूमिनेसेंस माइक्रोवेव कम्यूनिकेशन फाइबर-ऑप्टिक संचार नेवीगेशन