Igbt मॉड्यूल (तोशिबा मेक)

हम अपने ग्राहकों को बीजिंग, चीन में Igbt मॉड्यूल (Toshiba MAKE) की एक विस्तृत श्रृंखला के निर्यात, वितरण, व्यापार और आपूर्ति में विशेषज्ञता रखते हैं। विवरण 1.A IGBT पावर MOSFET और BJT डिवाइसA का मोनोलिथिक रूप में एक कार्यात्मक एकीकरण है 2। IGBTA इष्टतम डिवाइसA विशेषताओं को प्राप्त करने के लिए दोनों की सर्वोत्तम विशेषताओं को जोड़ती है। प्रत्येक मॉड्यूल में हाफ-ब्रिज कॉन्फ़िगरेशन में दो IGBT होते हैं, जिसमें प्रत्येक ट्रांजिस्टर में रिवर्स-कनेक्टेड सुपर-फास्ट रिकवरी फ्री-व्हील डायोड होता है। 3। सभी घटकों और इंटरकनेक्ट्स को हीट सिंकिंग बेस प्लेट से अलग किया जाता है, जो सरलीकृत सिस्टम असेंबली की पेशकश करता है। फ़ीचर 1. ए स्क्वायर आरबीएसओए 2। कम संतृप्ति वोल्टेज 3। ओवर करंट लिमिटिंग फंक्शन (3 गुना रेटेड करंट) 4. A IGBTA एक तीन-टर्मिनल A पावर एक सेमीकंडक्टर डिवाइस है 5.A एक उच्च आवृत्ति ऑपरेशन